缓慢降低加热功率，使固液界面从籽晶顶部开始形成并向上移动。以极慢的速度（0.3-0.8 mm/h）启动生长，确保初始结构的完美无瑕。

继续精准降低温度，引导晶体直径逐渐扩大，直至达到预设的目标尺寸。此阶段决定了晶体的基础形态与最终规格。

这是晶体生长的主体阶段。需维持极其稳定、缓慢移动的温度梯度，让晶体以恒定的直径匀速生长，保障内部结构的高度均匀性。

加快降温速度，使晶体顶部逐渐自然收窄，最终与剩余熔体完全分离。这一步骤有效避免了晶体在脱离熔体时产生位错或裂纹。