晶体缺陷自动识别分类

基于红外影像与超声扫描重构，识别位错、夹杂、孪晶等晶体缺陷，实现晶棒微米级定位。

长晶温场稳定控制

实时调节多区加热器功率与气流场平衡，抑制热应力，保障晶棒轴向、径向电阻率均匀性。

原生 GEM/SECS 设备兼容

全面兼容长晶炉、称重、红外测温设备，无缝集成MES与EAP系统。

磷化铟单晶制造的核心技术支撑

在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体长晶过程中，毫秒级温场波动或微小气流扰动，都会造成晶棒位错密度飙升。系统提供全方位在线监测与自适应校正机制：

•  全流程晶棒批次追踪： 关联炉次/晶棒级数据，实现单根晶棒全链路追溯（Single Crystal Traceability）。

•  虚拟量测（Virtual Metrology）： 融合坩埚重量、红外测温、气体流量高频采样，在出棒前预测晶棒电阻率、位错密度。

•  炉腔洁净与气相污染(AMC)监控： 毫秒级预警炉腔氧、碳杂质超标，降低InP单晶杂质引入风险。

InP长晶工厂系统与交付路线

严格符合 ISO 26262 及半导体车规/工业级交付规范。

•  设备通信协议对接（1-2 周）： 完成 SECS/GEM 通信协议打通及数据采集点位映射（Data Mapping）。

•  边缘计算节点与算法部署（2 周）： 在长晶厂私有云/厂区边缘节点搭建零信任计算环境。

•  冷热数据对齐与模型在线校准（3 周）： 结合历史良率数据库进行 AI 模式训练与假报警过滤。

•  闭环控制开启与 24/7 监控（持续）： 开启闭环控制（APC），全面替代人工抽检流程