效率飞跃:博世发布第三代碳化硅芯片


数十亿欧元投资全球制造网络和本土赋能

碳化硅半导体的开关速度和运行效率显著高于传统硅芯片。它们不仅能大幅减少能量损耗,还能在电子设备中实现更高的功率密度。博世的新一代半导体不仅提供了技术优势,更带来了显著的经济效益。“我们的新一代芯片性能提升了20%,且尺寸比上一代更为精巧,”马库斯·海恩博士解释道。“这种小型化是实现未来更高成本效益的长期关键因素,因为我们可以在单片晶圆上产出更多的芯片。通过这种方式,博世为高性能电子器件的进一步普及做出了实质性贡献。”自2021年推出第一代产品以来,博世已在全球交付了超过6000万颗碳化硅芯片。

 

近年来,博世在碳化硅芯片的研发领域不断取得进展,并持续投资其位于德国罗伊特林根的工厂,在先进的200毫米晶圆上生产第三代芯片。此外,公司计划投资约19亿欧元,用于装备近期在美国加利福尼亚州罗斯维尔收购的生产基地。预计今年内,该工厂将生产出首批用于客户测试的样片。位于德国和美国的两家工厂将共同保障半导体供应,这不仅创造了满足全球市场需求的产能,也将为汽车行业打造更具韧性且稳健的全球供应链。在中期规划中,博世的目标是将碳化硅功率半导体的年产能提升至数亿颗级别。

 

针对产能布局,博世功率半导体亚太区负责人Bruno Schuster补充道:“这一全球制造网络将深度赋能中国客户。当前,中国新能源汽车产业正经历从400V800V高压平台的跨越式发展,对高性能、高可靠性碳化硅芯片的需求极为迫切。博世通过在德国罗伊特林根与美国罗斯维尔的双中心布局,不仅能为客户提供充足的、跨区域的产能保障,更能通过极具韧性的全球供应链,助力中国本土主流车企在全球化出海进程中规避供应风险,确保生产的安全与稳定。”


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